据媒体报道，台积电宣布已正式宣布6nm工艺技术。
新的6纳米工艺使用EUV光刻技术。据说与第一代7nm工艺相比，晶体管密度增加了18％。第一代7nm工艺，便于升级迁移和降低成本。
台积电6纳米工艺将于2020年第一季度制造，作为中高级移动芯片，消费类应用，人工智能，网络，5G和高性能计算的原型。
近年来，英特尔在新工艺方面进展缓慢，10纳米工艺在大规模生产中进展缓慢。这主要是因为公司技术要求高，很难投入生产。
与此同时，台积电和三星取得了很大进展。
除了技术进步之外，他们采用了更灵活的策略，减少了新技术的难度，并且每次都略微改进新版本。
例如，16 nm TSMC工艺是一个重要的节点，但基于此更新并优化了12 nm。
除了14 nm，10 nm，7 nm和5 nm的改进之外，三星还拥有更复杂的过渡版本，如11 nm，8 nm，6 nm和4 nm。
最近，台积电宣布5nm EUV工艺已开始试生产。
与7纳米相比，该公司的5纳米EUV工艺可将性能提高15％。
与此同时，三星的5nm EUV工艺可将能耗降低20％，性能降低10％。
（文章来源：TechWeb）
